教學(xué)設(shè)備

一、實驗室名稱：   微電子器件實驗室                            
二、實驗項目名稱：雙極晶體管直流特征的測量
三、實驗學(xué)時：3
四、實驗原理：
如下圖所示，晶體管特征圖示儀提供Vce的鋸齒波掃描電壓和Ib的階梯變化，且兩者一一對應(yīng)，便產(chǎn)生Ib從Ib0、Ib1、Ib2等Vce從零到最大值的曲線族。從而測量晶體管的直流特性。

 
五、實驗?zāi)康模?/strong>
掌握晶體管特征圖示儀的工作原理。并能熟練地運用其對雙極晶體管的直流特性進行測試。
六、實驗內(nèi)容：
a.  反向漏電流和反向擊穿電壓的測試
b.      輸入阻抗的測試
c.  電流增益的測試
d.      飽和壓降的測試
e. 正常管與失效管輸出特性曲線比較
 
七、實驗器材（設(shè)備、元器件）：
晶體管特征圖示儀，3DG6，3AG6雙極晶體管
 
八、實驗步驟：
a.    開啟電源，預(yù)熱5分鐘，調(diào)節(jié)“輝度”、“聚焦”、“輔助聚焦”使顯示清晰。
b.   識別晶體管的管腳，及用萬用表驗證。根據(jù)實驗方法進行測試。
c.測試完成后，將“峰值電壓”調(diào)回零。
 
九、實驗數(shù)據(jù)及結(jié)果分析：
 
 
 
 

樣品       參數(shù)	3AG6		3DG6
	測試條件	測試結(jié)果	測試條件	測試結(jié)果
Icbo	Vcb=10V	18uA	Vcb=20V	0.5uA
Iebo	Veb=1V	30uA	Veb=10V	0.4uA
Iceo	Vce=10V	48uA	Vce=10V	0.4 uA
Vebo	Ib=-100uA	8V	Ib=10mA	7V
Vcbo	Ic=100uA	26V	Ic=10mA	75V
Vceo	Ic=100uA	14V	Ic=10mA	63V
Hie	Ib=50 uA  Vce=5V	14KW	Ib=1mA  Vce=2V	17KW
Hfe	Ic=2mA  Vce=5V	56	Ic=0.2A  Vce=2V	80
Vbes	Ic=10Ib	12V	Ic=10Ib	8V

 

 
十、實驗結(jié)論：
通過測試，可以知道：高頻小功率NPN晶體管與大功率PNP晶體管比較，增益較大，漏電流較小, 指標(biāo)較高。3DG6晶體管的一致性較好，3AG6功率管的指標(biāo)一致性有待改進，這與工藝水平密切相關(guān)。
 
十一、總結(jié)及心得體會：
雙極晶體管是一種重要的半導(dǎo)體器件，在各種電子設(shè)備中得到非常廣泛的應(yīng)用。因而對其直流特性的測量與掌握，是設(shè)計和使用雙極晶體管的基礎(chǔ)。本實驗的使我掌握了晶體管特性圖示儀測量雙極晶體管直流特性的原理和使用方法，理解了雙極晶體管的基本參數(shù)和工作原理。
 
十二、對本實驗過程及方法、手段的改進建議：
（1） 建議增加探針臺，在線測試芯片中的器件；
（2） 建議增加溫度控制設(shè)備，測量溫度對器件的影響。