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> 模擬地與數(shù)字地的區(qū)別
2013-03-21 12:36
模擬地與數(shù)字地的區(qū)別
很多人分不清模擬地與信號地的區(qū)別,有時候也就不區(qū)分數(shù)字地與模擬地,但這樣就使得電路質量下降,影響了電路的性能:
模擬電路涉及弱小信號,但是數(shù)字電路門限電平較高,對電源的要求就比模擬電路低些。既有數(shù)字電路又有模擬電路的系統(tǒng)中,數(shù)字電路產(chǎn)生的噪聲會影響模擬電路,使模擬電路的小信號指標變差,克服的辦法是分開模擬地和數(shù)字地。
對于低頻模擬電路,除了加粗和縮短地線之外,電路各部分采用一點接地是抑制地線干擾的最佳選擇,主要可以防止由于地線公共阻抗而導致的部件之間的互相干擾。
而對于高頻電路和數(shù)字電路,由于這時地線的電感效應影響會更大,一點接地會導致實際地線加長而帶來不利影響,這時應采取分開接地和一點接地相結合的方式。
另外對于高頻電路還要考慮如何抑制高頻輻射噪聲,方法是:盡量加粗地線,以降低噪聲對地阻抗;滿接地,即除傳輸信號的印制線以外,其他部分全作為地線。不要有無用的大面積銅箔。
地線應構成環(huán)路,以防止產(chǎn)生高頻輻射噪聲,但環(huán)路所包圍面積不可過大,以免儀器處于強磁場中時,產(chǎn)生感應電流。但如果只是低頻電路,則應避免地線環(huán)路。數(shù)字電源和模擬電源最好隔離,地線分開布置,如果有A/D,則只在此處單點共地。
低頻中沒有多大影響,但建議模擬和數(shù)字一點接地。高頻時,可通過磁珠把模擬和數(shù)字地一點共地。
如果把模擬地和數(shù)字地大面積直接相連,會導致互相干擾。不短接又不妥,理由如上有四種方法解決此問題∶1、用磁珠連接;2、用電容連接;3、用電感連接;4、用0歐姆電阻連接。
磁珠的等效電路相當于帶阻限波器,只對某個頻點的噪聲有顯著抑制作用,使用時需要預先估計噪點頻率,以便選用適當型號。對于頻率不確定或無法預知的情況,磁珠不合。
電容隔直通交,造成浮地。
電感體積大,雜散參數(shù)多,不穩(wěn)定。
0歐電阻相當于很窄的電流通路,能夠有效地限制環(huán)路電流,使噪聲得到抑制。電阻在所有頻帶上都有衰減作用(0歐電阻也有阻抗),這點比磁珠強.
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